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最新消息
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 ※誠徵博士後研究員
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研究團隊榮穫2008 CIC晶片製作成果發表會優良晶片
「佳作設計獎」。
辛裕明教授榮穫校 年度 「學術研究傑出獎」。
辛裕明教授榮穫校
年度 「績優專利獎」。
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辛裕明教授指導劉玉章之碩士論文 榮獲中國電機工程學會「九十六年度青年論文獎第三名」。
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博士班研究生 黃維國獲得中央大學研究生傑出研究獎。
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研究團隊 在APL 2007/03 發表ZnO/GaN二極體的形成方式與溫度效應
後，也已經成功製作出世界第一個 ZnO/GaN
collector-up HBT ，有完整的Gummel plot與Common emitter IV。目前室溫current gain為>
5。低溫下current gain > 100，將發表於APL上。
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研究團隊 提出ZnO/GaN二極體的形成方式與溫度效應，並提出其在 ZnO/GaN HBT 的應用可能性 (2007 APL)
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研究團隊創世界紀錄---3.5 Gb/s 之 850nm CMOS
Photo-detector using standard 0.18um CMOS process (2007 IEEE PTL)
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研究團隊以「36 GHz Bandwidth Optoelectronic integrated
circuit with Flip-chip Assembled InP HBT/Evanescently Coupled Photodiode」榮獲 2006 IEDMS 台灣電子材料與元件協會之傑出論文獎
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