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³Ì·s®ø®§

¢ 2023/10/19-20 IEDMS Invited Talk, ¡§Ohmic Contact Improvement on AlGaN/GaN HEMT using Graphene Layer¡¨

¢ 2023/09/21 ¥D«ùªº¦¸¥@¥N¤Æ¦Xª«¥b¾ÉÅé±M®×­pµe¨ó¦P¥x¬ì¤j¼B¦t±á±Ð±Â©Mªø©°®L¶Ô±Ð±Â¸ò¤é¥»ROHMªºÅX°ÊICªºÅçÃÒ¦X§@·s»D½Z (GaNデバイスの©Ê¯àを³Ì¤j­­に¤Þき¥Xす¶W°ª³tゲートドライバICを¶}発)

¢ 2022/11/16 APWS Talk: Dynamic Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs to Power Switching Applications (2022 APWS)

¢ 2022/11/01 2022 International Electron Devices & Materials Symposium 2022, IEDMS, Best Paper Award, 2022°ê»Ú¹q¤l¤¸¥ó»P§÷®Æ¬ã°Q·| ³Ç¥X½×¤å¼ú¡C¾Ç¤h¯Z±MÃD¥Í: ¤ý¯\º_©MÁ¨Χ± ÃD¥Ø: Design of a Novel p-GaN gate AlGaN/GaN/InGaN HEMT and Its Application in Boost Converter

¢ 2022/10/26 2022 ¥\²v¥b¾ÉÅé§÷®Æ¡]´á¤ÆñS¡®ºÒ¤Æª¿¡^À³¥Î¤¸¥ó°ê»Ú½×¾Â (°ª¥\²v¤¸¥óÀ³¥Î¬ãµoÁp·ù)ºtÁ¿ÃD¥Ø: GaN¥\²v¤¸¥ó¤§°ÊºA¶}Ãö¯S©Ê

¢ 2022/08/12 D Forum 2022 ¹q·½§Þ³N½×¾Â (DIGITIMES) °ª®ÄÂà´«º¡¨¬¸`¯à»Ý¨D ¹q·½³]­p®i²{¥þ·sµø³¥ ºtÁ¿ÃD¥Ø: ¦p¦ó§JªAGaN¥\²v¤¸¥ó¤§Âà´«®Ä²v¡B¥i¾a©ÊÃøÃD

¢ 2022/03/23 5G ICº[¤¸¥ó´ú¸Õ½×¾Â (°ª¥\²v¡B¥¨¶q¶Ç¿é¡B°ª³t³q°T¡B°ª²£¯à) (Keysight) ºtÁ¿ÃD¥Ø: Gate Reliability and Dynamic On-resistance in 650-V p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs

¢ 2021/11/28 #¤T¥ßiNEWS #¥xÆW·s«ä¸ô #²Ä¤TÃþ¥b¾ÉÅé §õ¤å»ö¥D«ù¢x¡i¥xÆW·s«ä¸ô¡j20211128¢x¤T¥ßiNEWS https://youtu.be/EcGZ5C7A6hM (15:38 ¶}©l¤¶²Ð¤¤¤j¥ý¶i¥\²v¤¸¥ó¹êÅç«Ç)

¢ 2021/11/04¡i¦Ë¬ìºÞ²z§½§K¶OÁ¿®y¡j3¤p®É½Òµ{¡A²Ä¤T¥N¥b¾ÉÅé´á¤ÆñS

¢ 2021/9/28 °ê¥ß¤¤¥¡¤j¾ÇÄâ¤â¬O¼w¬ì§Þ«Ø¥ß¼e¯à»Ø¥b¾ÉÅé(GaN/SiC)¬ãµoº[´ú¸Õ¶}©ñ¹êÅç«Ç¡A¬ÛÃö·s»D¦p³sµ²

1.         Keysight©xºô¤Î°ê»Ú´CÅé¡GKeysight Newsroom¡BBusiness Wire¡Betc.

2.         ¥xÆW´CÅé¡G¬ì§Þ·s³ø¡BCTIMES¡B¤u°Ó®É³ø¡BCompotech Asia¡BWantrich©ô±o´I/¤¤®É·s»Dºô¡Betc.

¢²Ä10©¡¨È¤Ó¼e¯à»Ø¥b¾ÉÅé¬ã°Q·|(APWS2021)¦]¬Ì±¡COVID-19©µ´Á©ó2022¦~11¤ë13¤é©ó¾ú¥v¥j³£¥x«n¥«¦w¥­¥l¶}¡AÅwªï²£¾Ç¬ã¬ÉªB¤Í¿ãÅD§ë½Z»P·|ij¥DÃD¬ÛÃö¤§¾Ç³N¬ã¨s½×¤å¡Cwww.apws2021.com

¢¥ú¹q¨ó¶i·| 2021/7/1¤Æ¦Xª«¥b¾ÉÅé°ö°V½Òµ{¡AÁ¿®v: ´á¤ÆñS¥\²v¤¸¥ó»PÀ³¥Î

¢¥ú¹q¥b¾ÉÅé»P5G¥\²v§÷®Æ²£¾Ç¥æ¬y·|¡A2021/3/3¤¤¥¡¤j¾Ç°ê¹©¥ú¹q¤j¼Ó1¼Ó°ê»Ú·|ijÆU

¢ ¬ì§Þ³¡¥b¾ÉÅé®g¤ë­pµe¬°´£¤É°ê¤º²£¾Ç¬ã¦U¬É¦b·P´ú´¹¤ù»P¥ý¶i¥b¾ÉÅé»sµ{»â°ì§Þ³Nµo®i»P¸ê°T¤§¥æ¬y¡A©ó10¤ë8¤é(¥|)°²°ê¥ß¥æ³q¤j¾Ç¡AÁ|¿ì¬°´Á¤@¤Ñªº§Þ³N½×¾Â¡Chttps://sites.google.com/view/moonshot20201008

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¢ ¬ì§Þ³¡¥b¾ÉÅé®g¤ë­pµe2020/9/16¦¨ªG®i

¢ ©ó2019 IEDMS¤j·|Àò¹{2018 IEDMS³Ç¥X½×¤å¼ú¡AWei-Chun Lin, Ming-Yan Tsai, Wei-Cheng Ho, Yi-Hsuan Yu and Yue-Ming Hsin, ¡§The Electrical Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs with Different Configuration of Channel Width¡¨¡C

¢ ®g¤ë­pµe¹Î¶¤ºaÀò±o2019¥¼¨Ó¬ì§Þ¬ð¯}¼ú¡A¤p«¬¤Æ°ª®Ä²vÂྐྵ/ÅÜÀ£¾¹:´¹¤ù¡B¤¸¥ó¨ìÀ³¥Î¨t²Î¡C§Þ³N¦¨ªG±N©ó¡u2019¥¼¨Ó¬ì§Þ®i¡v®i¥X (12/5~12/8 ¥x¥_¥@¶T¤@À])¡C

¢ ¬ì§Þ³¡¥b¾ÉÅé®g¤ë­pµe²Ä¤@¦~«×´Á¥½¦¨ªG®i(2019/4/18) ¡§5¤ÀÄÁ¦¨ªGµoªí¼v¤ù¡¨

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¢ 2018¬ì§Þ³¡¡¨´¼¼z²×ºÝ¥b¾ÉÅé»sµ{»P´¹¤ù¨t²Î¬ãµo±M®×­pµe(¥b¾ÉÅé®g¤ë­pµe)¡¨

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¬ÛÃö·s»D:

®g¤ë­pµe20¹Î¶¤¥X¦C ¥´³y¤H¤u´¼¼z¤j°ê[¦Û¥Ñ®É³ø2018-06-29]

http://news.ltn.com.tw/news/life/paper/1212567

 

¬ì§Þ³¡¥b¾ÉÅé®g¤ë­pµe±Ò°Ê¡A·~ªÌ©IÆ~­n°µ¦n§Þ³N«OÅ@»P¯d¤~­pµe[°]¸g·s³ø2018/06/28]

http://finance.technews.tw/2018/06/28/most-semiconductor-plan-start/

 

¬ì§Þ³¡®g¤ë­pµe ¥xÆW©é2022¦~Åܨ­AI¤j°ê[¤¤¥¡³q°TªÀ2018/06/28]

http://www.cna.com.tw/news/ait/201806280158-1.aspx

 

®g¤ë­pµe ¥x¿nÄâ¥x¤j½Ä3©`¦Ì [¸gÀÙ¤é³ø2018-06-29]

https://money.udn.com/money/story/5612/3224454

¢ 103¦~«×°ê¥ß¤¤¥¡¤j¾ÇÁZÀu±M§Q¼ú

¢ 2014°ê®a´¹¤ù¨t²Î³]­p¤¤¤ßÀu¨}´¹¤ùÀuµ¥³]­p奬¡¨¼Ð·Ç¤¬¸É¦¡ª÷ÄÝ®ñ¤Æª«¥b¾ÉÅéµ²¦X·L¾÷¹q»sµ{¤§850-nm°¼­±·Ó¥úª¿¥úÀË´ú¾¹¡¨

¢ °õ¦æ°ê¬ì·|¥Á¥Í¨t²Î¤§¸`¯à§Þ³N¬ãµo±M®×­pµe; °ª®Ä率¥\率¤¸¥ó¬ãµo»Pª½流ÅÜÀW冷®ðÅX°Ê¨t²Î¤§À³¥Î¡A²Ä¤@¦~»s§@¤§°Êµe¼v¤ù

¢ 99¦~01¤ë17¤é(¶g¤é)¤U¤È14:00-14:30¤¤¤Ñ®T¼Ö¥x39ÀW¹D[¤Ñ¥ÍĹ®a]-¡u¹q¾÷µ×­^  ¬ã¨s³Ð·s¡v(¹qµø¼v¤ù) (°Êµe¼v¤ù)

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­ì¤åÂà¸ü¦Û¡i2008-08-13/¥xÆW¥ß³ø·s»D¡j

http://lihpao.shu.edu.tw/news/in_p1.php?art_id=23190

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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