PhD
羅時湧
Come from Taoyuan
Topic: Photodetector, LED, Amorphous Silicon, Nonvolatile Memory
Master
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黃茂順 Come from Tainan Topic: Nonvolatile Memory |
彭朝文  Come from Kaohsiung Topic: Nanocrystal Device |
闕仲宏 Come from Keelung Topic: a-Si Solar Cell |
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楊昌翰 Come from Kaohsiung Topic: LED |
徐濬宇 Come from Taoyuan Topic: Solar Cell |
張穎弘 Come from Taichung Topic: Nonvolatile Memory |
PhD
| 年度 | 姓名 | 論文名稱 | 目前服務單位 |
| 96 | 葉榮輝 | 交流白光與電壓調色非晶質薄薄膜發光二極體的研製 | 禧通科技公司 |
| 91 | 林哲歆 | 非晶矽/晶質矽異質接面矽基金屬-半導體-金屬光檢測器與非晶質無機電子/電洞注入層高分子發光二極體之研究 | 工研院電光所 |
| 87 | 賴利弘 | 矽基金屬-半導體-金屬光偵測器的製作與特性 | 海德威電子公司 |
| 87 | 陳盈安 | 非晶矽基與多孔矽薄膜發光二極體的研製與特性 | 中華技術學院航電系 |
| 86 | 蔡文欽 | 交流耦合矽微條帶電粒子偵測器之研製 | 美祿科技公司 |
| 83 | 簡廷憲 | 非晶碳化矽氫薄膜發光二極體特性與非晶矽氫薄膜電晶體電性穩定度的改良 | 瀚宇彩晶公司 |
| 82 | 施能夫 | 梯度能隙薄膜發光二極體與窄頻非晶矽光偵測器 | 修平技術學院電子系 |
Master
| 年度 | 姓名 | 論文名稱 | 目前服務單位 |
| 95 | 鄭金展 | 具組成梯度能隙的非晶質矽合金p-i-n太陽能電池 | 服預士役中 |
| 95 | 黃益韋 | 奈米晶粒矽P-I-N太陽能電池 | 服預士役中 |
| 95 | 王子綱 | 交流白光非晶碳氫薄膜發光二極體之光電特性改善 | 出國留學 |
| 94 | 余泰榮 | 交流白光非晶碳氫與氮化矽氫薄膜發光二極體之研製 | 台灣積體電路公司 |
| 94 | 吳培甄 | 利用氫化非晶矽鍺/矽複層的選擇性氧化形成鍺量子點與鍺量子點金屬-半導體-金屬光偵測器之研製 | 聯華電子公司 |
| 94 | 梁義忠 | 過濾製程及熱處理對MEH-PPV有機發光二極體光電特性的影響 | 力晶半導體公司B |
| 93 | 涂志偉 | 薄膜電晶體液晶顯示器Mura之分析 | |
| 93 | 塗俊价 | 大面積矽微條偵測器之製程改善 | |
| 93 | 陳晉鴻 | 交流非晶質碳化矽氫薄膜發光二極體之研製 | |
| 92 | 魏燕伶 | 具非晶質矽合金調變週期類超晶格薄膜複層之低暗電流高熱穩定度平面矽基金屬-半導體–金屬光檢測器 | |
| 92 | 邱俊智 | 非晶質吸光區與累增區分離之類超晶格累崩光二極體 | 世界先進積體電路 |
| 92 | 房家壽 | 具組成梯度能隙非晶質矽合金電子注入層與電洞緩衝層的高分子發光二極體 | |
| 91 | 許績威 | 具蕭特基源/汲極的上閘極型非晶矽鍺與多晶矽薄膜電晶體 | 聯華電子公司 |
| 91 | 賈國揚 | 大面積矽偵測器的製程改良與元件設計 | |
| 91 | 杜麗萍 | 具非晶質矽合金類量子井極薄障層之高靈敏度平面矽基金屬-半導體-金屬光檢測器 | |
| 90 | 張勻禎 | 具非晶異質接面及溝渠式電極之矽質金屬-半導體-金屬光偵測器的暗電流特性 | |
| 90 | 劉文雄 | 矽晶圓具有隔離氧化層非晶質薄膜發光二極體之光電特性 | |
| 90 | 李英信 | 蕭特基源/汲極接觸的反堆疊型非晶質矽化鍺薄膜電晶體 | |
| 89 | 莊文榮 | 吸光區累崩區分離的累崩光二極體 | |
| 89 | 白豐榮 | 非晶矽射極異質雙戴子電晶體與有機發光二極體的特性 | 鴻海科技公司 |
| 89 | 賴威任 | 具自行對準凹陷電極1x4矽質金屬-半導體-金屬光偵測器陣列的特性 | |
| 89 | 曹正翰 | 低漏電流與高崩潰電壓大面積矽偵測器製程之研究 | |
| 88 | 黃治平 | 非晶質氮化矽氫基薄膜發光二極體與有機發光二極體的光電特性 | |
| 88 | 許立民 | 具非晶質n-i-p-n層之氧化多孔矽發光二極體的光電特性 | |
| 88 | 廖俊豪 | 金屬-半導體-金屬光偵測器的特性 | |
| 87 | 王志延 | 多孔矽金屬-半導體-金屬光偵測器的特性 | |
| 87 | 徐明光 | 大面積矽偵測器的寄生電容與低漏電流製程之研究 | |
| 87 | 莊英政 | 具非晶質異質接面與凹陷ITO電極的金屬-半導體-金屬光偵測器特性 | 南亞科技公司 |
| 87 | 許明朗 | 利用附加濾網的電漿助長化學氣相沉積系統研製薄膜發光二極體與電晶體 | |
| 86 | 陳世偉 | 具有ITO電極與鉻反射面之金屬-半導體-金屬光偵測器的特性 | |
| 86 | 黃文鈺 | 非晶矽薄膜電晶體的製程研究 | |
| 86 | 鍾德鎮 | 綠-藍-白光氫化非晶氮化矽基p-i-n薄膜發光二極體的光電特性 | |
| 85 | 吳元宏 | 利用薄鉬緩衝層接觸p-型非晶矽之非晶碳化矽基P-I-N薄膜發光二極體的光電特性 | |
| 85 | 張添昌 | 具非晶異質接面與凹陷或脊形鉻電極之金屬-半導體-金屬光偵測器的特性 | 聯成電子公司 |
| 85 | 葉榮輝 | 藍綠光多孔矽發光二極體 | 禧通科技公司 |
| 84 | 王志誠 | 非晶質金屬-半導體-金屬光偵測器特性的改良 | |
| 84 | 蔡宜龍 | 非晶矽氫薄膜電晶體液晶顯示器之研製 | |
| 84 | 邱辰甫 | 具有低阻反射n層非晶碳化矽氫梯度能隙薄膜發光二極體的光電特性 | 台灣大哥大電信公司 |
| 84 | 梁乃元 | 多孔矽發光二極體發光特性與電流導通機制的探討 | 旺宏電子公司 |
| 83 | 陳步芳 | 多孔矽電激光特性之探討 | |
| 83 | 林全益 | 非晶矽氫薄膜電晶體穩定機制探討及交指式源汲結構元件特性的影響 | 台灣積體電路公司 |
| 83 | 楊樹源 | 非晶矽鍺薄膜再結晶的研究及電晶體的研製 | 台灣積體電路公司 |
| 83 | 賴利弘 | 非晶質金屬-半導體-金屬光偵測器光電特性的改良 | 海德威電子公司 |
| 83 | 陳志寬 | 非晶碳化矽氫雙組成摻雜梯度能隙薄膜發光二極體的特性 | |
| 82 | 呂學德 | 經電漿處理的氮氧化矽/氮化矽雙層閘極絕緣體對於非晶矽氫薄膜電晶體特性的影響 | 台灣積體電路公司 |
| 82 | 陳盈安 | 非晶矽氫與矽化鍺氫金屬-半導體-金屬光偵測器的研製 | 中華技術學院航電系 |
| 81 | 周聰智 | 利用被N2O電漿處理SiOxNy/SiNy閘極絕緣層改善反向疊構式非晶矽薄膜電晶體的特性 | |
| 81 | 郭振泰 | 多孔矽發光二極體的研製 | |
| 81 | 潘貞維 | 非晶質碳化矽P-I-N薄膜發光二極體發光特性與電流導通機製的探討 | |
| 80 | 陳志洋 | 梯度能隙與能障層結構對非質碳化矽p-i-n薄膜發光二極體發光特性的影響 | |
| 78 | 林玉窗 | 非晶質累崩光二極體的雜訊特性分析 | |
| 78 | 甯樹樑 | 非晶質梯度接面式及量子井注入式p-i-n發光二極體的研製 | |
| 78 | 張傳揚 | 利用液相磊晶法研製1.3微米雷射二極體 | |
| 78 | 吳亞芬 | 辨別色光非晶矽光電晶體的元件特性模擬 | 北台技術學院電機系 |
| 78 | 李金德 | 非晶碳化矽發光二極體 | 元太科技公司 |
| 77 | 施能夫 | 辦別色光的非晶矽光電晶體 | 修平技術學院電子系 |
| 75 | 陳錫炫 | 厚膜電阻器計算機輔助設計用的工具 | 席倫伯格系統公司 |