聯絡資訊
- 研究室: E6-419
- 分機: 35156
- Email: yttang@ee.ncu.edu.tw
研究領域
- 半導體高介電材料
- 鐵電非揮發性記憶體與低功耗元件
- 新興半導體材料計算
- 矽基量子電腦元件模擬
- 矽光子記憶體
重要經歷
- DAAD Junior Scientist, Technical University of Berlin
- Post Doctorate, Center for Interdisciplinary Science, NCTU
- Principle Engineer, TSMC Inc. (2011-2015)
- NDL, 新竹 (2015-2018) / TSRI, 新竹 (2018-2021)
- Assoc. Prof. (Joint), NCHU (2020-2021)
- Adj. Res. (Asst.-Assoc.), TSRI (2024-now)
專利成果
Patents & Intellectual Property
共 5 項
2 項通過
3 項審查中
已通過
專利名稱：多位元鐵電電晶體、其製備方法及內容可定址記憶體單元
專利編號：I912007 (中華民國專利)
獲證日期：XXXX/XX/XX
已通過
專利名稱：埃級堆疊金屬鐵電金屬結構
專利編號：I839215 (TAIWAN)
獲證日期：XXXX/XX/XX
審查中
專利名稱：奈米級類比型超高介電可變電容製作
申請地區：美國專利 (US)
狀態：申請審查中
審查中
專利名稱：垂直對稱堆疊鰭式雙量子點結構
申請地區：美國專利 (US)
狀態：申請審查中
審查中
專利名稱：用XXX冷卻電極實現高耐溫類神經運算
申請地區：美國專利 (US)
狀態：申請審查中
實驗室成員
Graduate Students
114級 (碩一)
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邱映軒研究領域：CIM
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張全璨研究領域：
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李子曦研究領域：
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林奎煥研究領域：
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戴辰旭研究領域：
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林祐安研究領域：
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黃彥齡研究領域：
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劉威楷研究領域：
113級 (碩二)
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曾維國研究領域：
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楊樺研究領域：
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賴威遠研究領域：
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孟韋成研究領域：
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徐仲浩研究領域：
112級
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蔡承諺畢業論文：
已畢業
Alumni
112級
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陳浩銘南亞科畢業論文：Fe-HfO2之MPB誘發巨大High-k與氫電漿處理後高熱穩定性的材料科學
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陳瑞宜廣達畢業論文：追求高遷移率p型氧化物半導體之β-TeO2薄膜相穩定化與介面工程研究
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熊妙華TSMC畢業論文：以材料冷卻技術提升Fe-HfO2記憶體內運算操作效率與準確性
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黃聖滄世界先進畢業論文：使用1S1C提升2TnC的sense margin，以及近乎disturb-free之研究
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陳佑綺TSMC畢業論文：後段製程相容之垂直堆疊式3D 2TnC非揮發性記憶體製程開發與操作
111級
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陳政凱 中華電信高熱穩定性、長效耐久性(>10¹¹次)且具瞬時讀取之多功能閘極(TiN/Mo/TiOxNy/SL-HZO)層狀堆疊鐵電記憶體技術開發
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吳湧峰 世界先進基於氮化鍺碲碳非砷化物選擇器的高熱穩定性、低電壓變異性及高循環耐久性(>10¹¹) 的物理分析
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白家碩 TSMC可實現2.3V大記憶視窗（每單元3位元）、可立即讀取並具有10⁹次寫入之鐵電電晶體及其在機器學習之高精確度研究
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蔡堉秭 美光實現全後段製程相容性、基於IGZO雙電晶體及鐵電電容器之非揮發性記憶體
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許明駿 TSMC超晶格HfO2/ZrO2結構可靠性及In2O3與TeO2通道材料遷移率的第一原理計算研究
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黃子容 TSMC透過氫電漿處理提升FeFET 之耐久性、儲存密度與讀取速度並改善FeCAM 設計中的穩定性與漢明距離
110級
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王聖閔 UMC可實現高溫資料保留、多層儲存單元與高耐久度鐵電電晶體之多功能閘極與HfO2/ZrO2超晶格堆疊研究
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劉承瑞 芯源H2電漿處理之超薄IGZO種子層的低電壓 鐵電電容器以實現30ns/3V讀寫速度且高儲存密度之每單元3位元FeNAND快閃記憶體
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陳昱廷 美光實現瞬時讀取且長耐久性(>10^12次)之三位 元鐵電場效應電晶體製程技術與可靠度分析
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李紹晨 瑞昱應力工程和表面能對p型氧化錫（SnO）寬能隙相穩定化的影響