前瞻記憶體研究室


Research





Novel semiconductor channel material


  1. Oxide semiconductor(IGZO 、 X:SnO)

  2. High power semiconductor material(Si1-xGexC)

  3. First principles calculation of materials and phase diagram Analysis



Nanomaterial Device & Cell Design


  1. Ferroelectric memory : FeCap 、FeFET 、FeNAND

  2. Phase change memory : PCM 、OTS-Selector

  3. DRAM : Super-lattice High-K


Electro-Property Measurement


  1. FeCap : PUND 、 IV 、 CV 、 NLS 、 Endurance 、 Retention

  2. FeFET : Id-Vg 、 Speed 、 QSCV 、 Endurance 、 Retention