前瞻記憶體研究室


研究方向




新穎半導體通道材料


  1. 氧化物半導體(IGZO 、 X:SnO)

  2. 高功率材料半導體(Si1-xGexC)

  3. 材料第一原理計算與相圖分析
    4. (Hf-based High-K material: 超晶格堆疊幾何結構、漏電路徑、氧缺擴散鐵電相轉換)


前瞻記憶體材料開發與元件設計


  1. 鐵電記憶體 : FeCap 、FeFET 、FeNAND

  2. 相變記憶體 : PCM 、OTS-Selector

  3. DRAM : Super-lattice High-K


元件電性量測


  1. FeCap : PUND 、 IV 、 CV 、 NLS 、 Endurance 、 Retention

  2. FeFET : Id-Vg 、 Speed 、 QSCV 、 Endurance 、 Retention