新穎半導體通道材料
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氧化物半導體
IGZO, X:SnO,TeO2
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高功率材料半導體
AlN-BASED
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記憶體內運算單元設計
Computing-in-Memory (CIM)
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量子邏輯閘
Quantum Logic Gate
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材料第一原理計算與相圖分析
Hf-based High-K material: 超晶格堆疊幾何結構、漏電路徑、氧缺擴散鐵電相轉換
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動態存取記憶體之超高介電質元件設計
DRAM Capacitor Design
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矽光子
材料開發與光調變器元件設計 (Silicon Photonics)
前瞻記憶體材料與元件 Advanced Memory Material & Device
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鐵電記憶體FeCap FeFET FeNAND
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相變記憶體PCM OTS-Selector
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DRAM
Super-lattice High-K
元件電性量測 Electrical Measurement
FeCap
PUND
IV
CV
NLS
Endurance
Retention
FeFET
Id-Vg
Speed
QSCV
Endurance
Retention
實驗室具備完整的高頻與低頻電性量測能力，涵蓋材料特性分析至元件可靠度測試。