國科會計畫
| 年度 | 計畫名稱 |
| 96 | 多位元鍺奈米晶體快閃記憶體單胞元之研製 (I) |
| 95 | 鍺量子點紅外線光偵測器及發光/雷射二極體之研製 (2/2) |
| 94 | 鍺量子點紅外線光偵測器及發光/雷射二極體之研製 (1/2) |
| 93 | 鍺量子點元件之研製與物理分析－子計畫二：鍺量子點紅外線光偵測器及發光/雷射二極體之研製 (I) |
| 93 | 鍺量子點元件之研製與物理分析－總計畫 (I) |
| 92 | 複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用 (3/3)－子計畫二：具雙金屬合金蕭特基源/汲極接觸的非 (複) 晶矽化鍺薄膜電晶體 |
| 91 | 複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用 (2/3)－子計畫二：具雙金屬合金蕭特基源/汲極接觸的非 (複) 晶矽化鍺薄膜電晶體 |
| 90 | 複晶矽鍺與MILC在低溫複晶矽薄膜電晶體上之應用 (1/3)－子計畫二：具雙金屬合金蕭特基源/汲極接觸的非 (複) 晶矽化鍺薄膜電晶體 |
| 89 | 利用附加濾網的電漿助長化學沈積系統在低溫 (<攝氏300度) 成長多晶矽基薄膜並用以研製薄膜發光二極體與電晶體 |
| 89 | 矽晶片上成長非晶質薄膜發光二極體之研製 |
| 89 | 氧化多孔矽發光二極體的研製 |
| 88 | 利用透明凹陷電極及底層反射金屬膜分別改善兩種金屬－半導體－金屬光偵測器的性能 |
| 87 | 新型矽基金屬－半導體－金屬光偵測器的研製 |
| 86 | 新型多孔矽發光二極體的電流導通機制與亮度提昇 |
| 85 | 新型多孔矽式發光二極體的研究 |
| 84 | 非晶碳化矽p-i-n薄膜發光二極體的亮度改進及電流導通機制 |
| 83 | 非晶碳化矽p-i-n薄膜發光二極體的亮度改進及電流導通機制 |
| 82 | 多孔矽發光二極體之研製 |
| 82 | 非晶質梯度能隙量子井及熱載子注入層薄膜發光二極體的研究 |
| 81 | 非晶質梯度接面式及量子井注入式p-i-n發光二極體的研製 |
| 80 | 非晶質累崩光電晶體游離率基本機制之探討及薄膜電晶體特性的改進與研究 |