實驗設備

• 儀器中文名稱：分子束磊晶系統
• 儀器英文名稱：Molecular Beam Epitaxy
• 儀器英文簡稱：MBE
• 儀器廠牌及型號：Riber MBE 32P
• 儀器功用： III-V族化合物半導體材料成長

• 儀器中文名稱：分子束磊晶系統
• 儀器英文名稱：Molecular Beam Epitaxy
• 儀器英文簡稱：MBE
• 儀器廠牌及型號：Riber MBE compact 21
• 儀器功用： III-V族化合物半導體材料成長

• 儀器中文名稱：分子束磊晶系統
• 儀器英文名稱：Molecular Beam Epitaxy
• 儀器英文簡稱：MBE
• 儀器廠牌及型號：Riber MBE compact 12
• 儀器功用： III-V族化合物半導體材料成長

• 儀器中文名稱：有機金屬化學氣相沉積系統
• 儀器英文名稱：Metalorganic Chemial Vapor Deposition
• 儀器英文簡稱：MOCVD
• 儀器廠牌及型號：AIXTRON 200/4 RF
• 儀器功用：氮化鎵系列材料成長

• 儀器中文名稱：有機金屬化學氣相沉積系統
• 儀器英文名稱：Metalorganic Chemial Vapor Deposition
• 儀器英文簡稱：MOCVD
• 儀器廠牌及型號：AIXTRON/ CCS 6X2” (1X6”) FT MOCVD with LayTec EPITT curve
• 儀器功用：氮化鎵系列材料成長

• 儀器中文名稱：場發射掃描式電子顯微鏡
• 儀器英文名稱：Field Emission Scanning Electron Microscope
• 儀器英文簡稱：FE-SEM
• 儀器廠牌及型號：HITACHI S-4300
• 儀器功用：奈微米元件輪廓測量

• 儀器中文名稱：電子槍濺鍍機
• 儀器英文名稱：E-gun evaporator (oxide material)
• 儀器英文簡稱：E-gun
• 儀器廠牌及型號：優貝克ULVAC
• 儀器功用：成長ZnO,ITO,SiO2等薄膜，利用高能量電子束轟擊源材料，以進行薄膜蒸鍍，並應用於半導體元件製作。

• 儀器中文名稱：霍爾量測設備
• 儀器英文名稱：Hall messurement system
• 儀器英文簡稱：Hall
• 儀器廠牌及型號：ACCENT HL5500
• 儀器功用：採用Van Der Pauw四點探針方式,可量測半導體元件中的載子濃度、移動率、電阻率及霍爾係數等特性

• 儀器中文名稱：PL光激發螢光系統
• 儀器英文名稱：PL system
• 儀器英文簡稱：PL
• 儀器廠牌及型號：KIMMON IK3552R-G-
• 儀器功用：利用325 nm的He-Cd雷射照射待測樣品,使之發出螢光的一種非破壞性檢測技術.激發光源照射樣品後可使材料中的電子吸收能量而躍遷到更高能階，電子在躍遷回基態時會產生相對應的螢光光譜，使我們可以藉由光譜中的特徵得知材料的摻雜雜質種類、能隙大小、化合物中的組成成分等材料特性。

• 儀器中文名稱：二極體電壓電流測試機
• 儀器英文名稱：Rectifier Tester
• 儀器英文簡稱：TVR6000N
• 儀器廠牌及型號：POWORLD TVR6000N(V: 5V~-2000V)
• 儀器功用：可測試二極體的順向與逆向電壓電流特性，順向電流可量至25 A，崩潰電壓可量至2000 V。

• 儀器中文名稱：逆向回復時間/電荷測試機
• 儀器英文名稱：Reverse Recovery Time/ Charge Tester
• 儀器英文簡稱：PQRR2009
• 儀器廠牌及型號：POWORLD PQRR2009
• 儀器功用：二極體中的逆向回復時間與電荷會影響元件開關時的功率損耗，此逆向回復時間/電荷測試機具有特殊的測試電路、示波器與分析軟體，可分析二極體的逆向回復特性。