研究計畫 |
年度 |
計畫名稱 |
委託單位 |
執行單位 |
95 |
氮化鎵蕭特基二極體之研製 |
台灣通用 |
電機系 |
95 |
以有機金屬氣相磊晶法成長氮化鎵奈米柱之技術開發 |
工研院 |
光電中心 |
95 |
LED技術文獻分析-LED元件 |
工研院 |
光電中心 |
95 |
氮化物與氧化物半導體奈米結構之製備與應用(1/3) |
國科會 |
光電中心 |
95 |
半導體奈米光電元件研究(3/3) |
國科會 |
電機系 |
96 |
高品質氮化鋁鎵基板製作技術之研究 |
工研院 |
電機系 |
96 |
氮化鎵蕭特基二極體之研製 |
台灣通用 |
電機系 |
96 |
平行化高速光連接技術開發四年計畫第2期計畫(1/4) |
經濟部 |
電機系 |
96 |
政府科技計畫產業科技群組(電子、光電)規劃、審議及管考研究計畫 |
國科會 |
電機系 |
96 |
氮化物與氧化物半導體奈米結構之製備與應用(2/3) |
國科會 |
光電中心 |
96 |
平行化高速光連接技術開發計畫第2期﹝I﹞ |
國科會 |
電機系 |
96 |
氮化鎵基板之製備與高功率氮化鎵整流二極體之研製(1/3) |
國科會 |
電機系 |
|
97 |
Nitride Semiconductor Light Emitting Diodes |
友達光電 |
電機系 |
97 |
GaN-on-Si前瞻性白光LED (II) |
工研院 |
電機系 |
97 |
政府科技計畫產業科技群組(電子、光電)規劃、審議及管考研究計畫 |
國科會 |
電機系 |
97 |
Sb-Based HFETs on Si Substrate for Low-Power High-Frequency Logic Application |
台積電 |
電機系 |
97 |
氮化物與氧化物半導體奈米結構之製備與應用(3/3) |
國科會 |
光電中心 |
97 |
氮化鎵基板之製備與高功率氮化鎵整流二極體之研製(1/3) |
國科會 |
電機系 |
97 |
平行化高速光連接技術開發四年計畫第2期計畫(2/4) |
經濟部 |
電機系 |
97 |
高功率、高效率大面積GaN-based LED |
泰谷光電 |
電機系 |
97 |
High-Power GaN RF HFETs for S-band Applications |
穩懋半導體 |
電機系 |
97 |
異質整合奈米電晶體之研製(1/3) |
台積電 |
電機系 |
97 |
先導型產學合作計畫-異質整合奈米電晶體之研製(1/3) |
國科會 |
電機系 |
97 |
九十七年度大專學生參與專題研究計畫-應用於太陽能電池中砷化銦/銻砷化鎵(InAs/GaAsSb)第二型(type II)量子點光電特性之研究 |
國科會 |
電機系 |
97 |
九十七年度大專學生參與專題研究計畫-A1GaN/GaN蕭基特二極體之逆向潰特性研究 |
國科會 |
電機系 |
98 |
產學合作計畫-異質整合奈米電晶體之研製(2/3) |
國科會 |
電機系 |
98 |
平行化高速光連接技術開發四年計畫第2期計畫(3/4) |
經濟部 |
光電中心 |
98 |
氧化物太陽能電池材料研究 |
核研所 |
電機系 |
98 |
GaN-on-Si前瞻性白光LED (II) |
工研院 |
電機系 |
98 |
高功率GaN-based LED量測分析及結構設計 |
泰谷光電 |
電機系 |
98 |
LED磊晶專利之分析與研究 |
工研院 |
電機系 |
98 |
異質整合奈米電晶體之研製(2/3) |
台積電 |
電機系 |
98 |
兆赫銻砷化銦鎵/磷化銦異質接面雙極性電晶體之技術開發 |
國科會 |
電機系 |
98 |
氮化鎵基板之製備與高功率氮化鎵整流二極體之研製(2/3) |
國科會 |
電機系 |
99 |
氮化鎵基板之製備與高功率氮化鎵整流二極體之研製(3/3) |
國科會 |
電機系 |
99 |
SAW Duplexer SW |
乾坤科技 |
電機系 |
99 |
GaN Technology Development Program |
穩懋半導體 |
電機系 |
99 |
平行化高速光連接技術開發四年計畫第2期計畫(4/4) |
經濟部 |
光電中心 |
99 |
太陽電池磊晶技術開發 |
核研所 |
電機系 |
99 |
AC LED積體化蕭基二極體之研究 |
工研院 |
電機系 |
99 |
GaN-on-Si前瞻性白光LED (III) |
工研院 |
電機系 |
99 |
異質整合奈米電晶體之研製(3/3) |
台積電 |
電機系 |
99 |
推動能源國家型科技計畫照明與電器及淨煤、捕碳、儲碳之策略規劃 |
國科會 |
電機系 |
99 |
產學合作計畫-異質整合奈米電晶體之研製(3/3) |
國科會 |
電機系 |
99 |
歐盟FP7嘗試參與計畫：具有低電阻Type-II穿隧接面之高速垂直共振腔面射型雷射 |
國科會 |
電機系 |
100 |
矽基板上高功率氮化鎵蕭基二極體之研製 |
台達電 |
電機系 |
100 |
氮化物半導體材料之成長方法 |
泰谷光電 |
電機系 |
100 |
常關型氮化鎵功率電晶體與垂直式蕭基二極體之開發研究 |
廣鎵光電 |
電機系 |
100 |
GaN-on-Si前瞻性白光LED暨AC LED積體化蕭基二極體技術 |
工研院 |
電機系 |
100 |
氧化物太陽電池磊晶技術開發 |
國科會 原能會 |
電機系 |
100 |
推動能源國家型科技計畫照明100年策略規劃 |
國科會 |
電機系 |
100 |
科學園區LED路燈試點計畫 |
國科會 |
電機系 |
100 |
GaN-on-Si前瞻性白光LED技術開發 |
工研院 |
電機系 |
101 |
矽基板上高功率氮化鎵蕭基二極體之研製 |
(台達電捐贈)教育部邁向頂尖大學計畫 |
電機系 |
101 |
製作於矽基板上之高功率氮化鎵蕭基二極體與常關型氮化鎵電晶體 |
台達電 |
電機系 |
101 |
產學合作計畫─成長於6吋矽基板之氮化鎵功率元件(1/3) |
台達電 |
光電中心 |
101 |
Growth and Fabrication of High Hole Mobility InGaSb Field Effect Transisiors on Silicon Substrate for Low-Power High-Speed Logic Application |
台積電 |
電機系 |
101 |
氧化物太陽電池磊晶技術開發 |
國科會 原能會 |
電機系 |
101 |
能源國家型科技計畫照明與電器子項推動及管理計畫(III) |
國科會 |
電機系 |
101 |
產學合作計畫─成長於6吋矽基板之氮化鎵功率元件(1/3) |
國科會 |
光電中心 |
101 |
整合於矽基板上之高遷移率三五族互補式金氧半鰭式場效電晶體 |
國科會 |
電機系 |
101 |
應用於深紫外光發光二極體之高品質氮化鋁薄膜技術開發 |
工研院 |
電機系 |
102 |
製作於矽基板上之高功率常關型氮化鎵電晶體 |
(台達電捐贈)教育部邁向頂尖大學計畫 |
電機系 |
102 |
製作於矽基板上之高功率常關型氮化鎵電晶體 |
台達電 |
電機系 |
102 |
產學合作計畫─成長於6吋矽基板之氮化鎵功率元件(2/3) |
台達電 |
光電中心 |
102 |
政府科技發展計畫資通訊建設群組規劃、審議及管考研究計畫 |
國科會 |
電機系 |
102 |
產學合作計畫─成長於6吋矽基板之氮化鎵功率元件(2/3)
|
國科會 |
光電中心 |
103 |
矽基板上高功率氮化鎵蕭基二極體之研製 |
(台達電捐贈)教育部邁向頂尖大學計畫 |
台達中心 |
103 |
矽基板上高功率氮化鎵蕭基二極體之研製 |
台達電 |
台達中心 |
103 |
產學合作計畫─成長於6吋矽基板之氮化鎵功率元件(3/3) |
台達電 |
光電中心 |
103 |
政府科技發展計畫資通訊建設群組規劃、審議及管考研究計畫 |
科技部 |
電機系 |
103 |
產學合作計畫─成長於6吋矽基板之氮化鎵功率元件(3/3) |
科技部 |
光電中心 |
103 |
陳政佑-博士後研究-國科會補助延攬(聘)人才 |
科技部 |
電機系 |
104 |
產學合作計畫－低通道電阻氮化鋁銦場效電晶體之研製(1/2) |
台達電 |
光電中心 |
104 |
政府科技發展計畫資通訊建設群組規劃、審議及管考研究計畫(II) |
科技部 |
電機系 |
104 |
產學合作計畫－低通道電阻氮化鋁銦場效電晶體之研製(1/2) |
科技部 |
光電中心 |
104 |
單石異質整合n型砷化銦鎵與p型鍺通道互補式金氧半鰭式場效電晶體 |
科技部 |
電機系 |
104 |
104年度大專學生參與專題研究計畫：Metal/AlO/GaN結構電容-電壓量測與界面缺陷分析 |
科技部 |
電機系 |
104 |
陳政佑-博士後研究-國科會補助延攬(聘)人才 |
科技部 |
電機系 |
| 105 | 低通道電阻氮化鎵場效電晶體之研製 | 台達電 | 光電中心 |
| 105 | 政府科技發展計畫資通電子群組規劃、審議及管考研究計畫 |
科技部 |
電機系 |
| 105 | 產學合作計畫－低通道電阻氮化鋁銦場效電晶體之研製(2/2) |
科技部 |
光電中心 |
| 105 | 適用於毫米波功率放大器之高功率氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體開發 |
科技部 |
電機系 |
| 105 | GaN on Si晶圓之奈米強化技術與磊晶驗證(1/2) |
科技部 |
電機系 |
| 106 | 氮化鎵異質接面場效電晶體之直流與動態電性研究 |
台達電 |
電機系 |
| 106 | 氮化硼與氮化鋁鎵之整合與融合研究以應用於功率元件 | 晶元光電 |
電機系 |
| 106 | 國際產學聯盟計畫-智慧建康照護與疾病預防國際產學聯盟I |
科技部 |
研發處 |
| 106 | 安德烈-博士後研究-國科會補助延攬(聘)人才 |
科技部 |
電機系 |
| 106 | 尼洛齊-博士後研究-國科會補助延攬(聘)人才 | 科技部 | 電機系 |
| 106 | GaN on Si晶圓之奈米強化技術與磊晶驗證(2/2) | 科技部 | 電機系 |
| 107 | 捷苙科技暨中央大學產學合作研究計畫 | 捷苙科技 | 光電中心 |
| 107 | 氮化鎵異質接面場效電晶體之短路與閘極偏壓能力研究 |
台達電 |
電機系 |
| 107 | 高效率高頻高機體化轉換器研發─總計畫暨子計畫一：氮化鎵材料之磊晶開發和元件可靠度分析與模型建立(1/2) | 科技部 | 電機系 |
| 107 | 國際產學聯盟計畫─智慧健康照護與疾病預防國際產學聯盟 |
科技部 |
研發處 |
| 107 | 氮化硼鋁鎵銦異質結構磊晶與特性研究 | 科技部 | 電機系 |
| 107 | 大專學生參與專題研究計畫-氮化鋁銦/氮化鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體位障層鋁含量對閘極漏電流之影響 | 科技部 | 電機系 |
| 107 | 駱佳納-博士後研究-科技部補助延攬(聘)人才 | 科技部 | 電機系 |
| 107 | 國立中央大學－國際產學聯盟計畫II |
科技部 |
研發處 |
| 108 | P型氮化硼與氮化鋁鎵之整合研究 | 晶元光電 |
光電中心 |
| 108 | GaN/Si RF元件研究計畫 | 聯穎光電 | 光電中心 |
| 108 | 雙波段砷化銦/銻化鎵第二型超晶格紅外光偵測器之研製 | 中科院 | 光電中心 |
| 108 | 高效率高頻高機體化轉換器研發─總計畫暨子計畫一：氮化鎵材料之磊晶開發和元件可靠度分析與模型建立(2/2) | 科技部 | 電機系 |
| 108 | 凡德瓦磊晶成長氮化鎵與其在電子元件之應用 | 科技部 | 電機系 |
| 108 | 駱佳納-博士後研究-科技部補助延攬(聘)人才 | 科技部 | 電機系 |
| 109 | 氮化鎵磊晶技術與元件建模 | 隆達光電 | 光電中心 |
| 109 | 高效率高頻高積體化轉換器研發-總計畫暨子計畫一：氮化鎵材料之磊晶開發和元件可靠度分析與模型建立(1/2) | 科技部 | 光電中心 |
| 109 | 喬漢-博士級研究人員-科技部補助延攬(聘)人才 | 科技部 | 電機系 |
| 109 | 駱佳納-博士級研究人員-科技部補助延攬(聘)人才 | 科技部 | 電機系 |
| 110 | 應用於GaN高頻元件之超薄厚度Al(Ga,In)N多元材料主動層技術開發技術 | 工研院 | 光電中心 |
| 110 | InAlGaN四元化合物半導體之超高頻電晶體開發 | 工研院 | 光電中心 |
| 110 | 高效率高頻高積體化轉換器研發-總計畫暨子計畫一：氮化鎵材料之磊晶開發和元件可靠度分析與模型建立(2/2) | 科技部 | 光電中心 |
| 110 | 駱佳納-博士級研究人員-科技部補助延攬(聘)人才 | 科技部 | 電機系 |