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GRADUATE STUDENTS
- PhD Program, 王尹男
- MS
Program, 羅欣怡
- MS
Program, 楊采妮
- MS
Program, 李訢寧
- MS
Program, 阮楷原
- MS
Program, 吳坤駿
- MS
Program, 黃柏愷
- MS
Program, 郭耿豪
- MS
Program, 邱泓睿
- MS
Program, 林羽彤
- MS
Program, 張獻恭
- MS
Program, 張倍綸
- MS
Program, 洪湘宜
- MS
Program, 黃子恩
- 專題生:
陳濬培, 蕭博軒, 蕭健安
- You: PhD/MS in compound semiconductor
ALUMNI
- 2026,
MS, 藍心珮, p-GaN尺寸與閘極位置對
p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMT 電性特性影響之研究
- 2026,
MS, 高偉盛, 碳膜與碳化鈦插入層改善AlGaN/GaN
HEMT歐姆接觸特性之研究
- 2025,
MS, 謝佳妤, 低壓p型氮化鎵與不同閘極絕緣層之金屬-絕緣層-半導體結構p型氮化鎵高電子遷移率電晶體
- 2025,
MS, 嚴叡奕, 具有閘極電阻與整合式二極體結構之650 V氮化鎵功率電晶體設計研究
- 2025,
MS, 黃惠中, 石墨烯與氟化石墨烯對氮化鎵電晶體歐姆接觸電阻與閘極控制特性之影響
- 2025,
MS, 黄駿升, 結合P型摻雜層與超級接面結構之碳化矽平面型分離閘極金氧半場效電晶體模擬分析
- 2024, MS, 殷浩恩, 基於GaN與GaAs HEMT技術的Sub-6 GHz與毫米波頻段Class-AB功率放大器設計與性能研究
- 2024,
MS, 陳沿輯, 具有金屬-絕緣層-半導體與p型氮化鎵結合的閘極增強型氮化鋁鎵/氮化鎵
- 高電子遷移率電晶體
- 2024, MS, 蔡碩宸, 整合雙向氮化鎵閘極二極體之650 V加強型氮化鎵電晶體
- 2024.
PhD. Krishna Sai Sriramadasu, 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體的p-GaN閘極工程設計和實現 (Gate Engineering in
E-Mode p-GaN Gate AlGaN/GaN HEMTs)
- 2024, MS, 王怡雯, 在厚緩衝層矽基板上研發不同閘汲間距的1200 V 加強型氮化鎵電晶體
- 2024, MS, 曾顗澄, P-型氮化鎵閘極連接至源極之加強型氮化鎵電晶體開發
- 2024, MS, 詹智傑, 1200
V 碳化矽金氧半場效電晶體及蕭特基二極體反向恢復高溫特性分析
- 2024, MS, 鍾貞祥, 在歐姆接觸區利用石墨烯和圖案蝕刻降低氮化鎵電晶體歐姆接觸電阻
- 2023,
MS, 蔡凱翔, 半橋氮化鎵驅動電路和功率電晶體積體化設計和其降壓器應用
- 2023,
MS, 卓志偉, 氮化鎵高電子遷移率電晶體暫態電流特性與電流散射之研究
- 2023,
MS, 陳逸弘, 利用石墨烯改善氮化鎵歐姆接觸之研究
- 2023,
MS, 吳晟豪, 1200V加強型矽基板氮化鎵高電子遷移率電晶體開發
- 2023, MS, 楊博安, 650V加強型氮化鎵高電子遷移率電晶體在不同閘極開關偏壓下之動態電阻分析
- 2022,
MS, 陳威嘉, 氮化鎵電晶體在雙脈衝動態量測後之特性分析
- 2022,
MS, 羅皓玄, 不同基板氮化鎵電晶體之變溫特性分析
- 2022,
MS, 許浩青, 具雙層二維電子氣通道閘極蝕刻氮化鎵高電子遷移率電晶體
- 2022, MS, 謝宖鋼, 石墨烯改善歐姆接觸之氮化鎵高電子遷移率電晶體
- 2021. MS, 蔡文璇, 歐姆與蕭特基p型閘極結構之氮化鎵電晶體特性分析與新型金屬p型閘極結構之氮化鎵電晶體
- 2021. MS, 秦鎮緯, 增強型氮化鎵電晶體之閘極可靠度分析與閘極浮接電性探討
- 2021. MS, 蔡佳容, 掘入式三閘極氮化鎵增強型金絕半場效電晶體
- 2021. MS, 蔡孟軒, 新型pnp閘極結構之氮化鎵高電子遷移率電晶體
- 2021. MS, 楊士陞, 氮化鎵高電子遷移率電晶體之低頻雜訊探討與功率放大器應用
- 2021. MS, 游欣容, 挖洞式無金歐姆接觸之氮化鎵高電子遷移率電晶體
- 2020,
MS, 胡聖浩, 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之佈局分析及功率放大器研製
- 2020,
MS, 郭羚筠, 垂直型氮化鋁鎵/氮化鎵蕭特基二極體於氮化鎵基板特性分析
- 2020,
MS, 朱竑憲, 垂直型氧化鎵蕭特基二極體於氧化鎵基板之製作與特性分析
- 2020,
MS, 陳智偉, 氮化鎵蕭特基二極體與高電子遷移率電晶體之設計與製作
- 2020, MS, 賴育辰, 整合蕭特基p型氮化鎵閘極二極體與加強型p型氮化鎵閘極高電子遷移率電晶體之新型電晶體
- 2019,
MS, 鍾易男, 高頻氮化鋁鎵/氮化鎵高速電子遷移率電晶體佈局設計及特性分析
- 2019,
MS, 余翊瑄, 氮化鎵電晶體SPICE 模型建立與反向導通特性分析
- 2019,
MS, 何偉誠, 新型加強型氮化鎵高電子遷移率電晶體之電性探討
- 2019,
MS, 蔡名彥, 加強型氮化鎵電晶體之閘極電流與電容研究和長時間測量分析
- 2019, MS, 陳詩文, 高電流密度鰭式氮化鎵高電子遷移率電晶體研究
- 2018, MS, 范姜少琪, 不同陽極蝕刻深度之氮化鋁鎵/氮化鎵蕭特基二極體特性分析
- 2018, MS, 林瑋峻, 雙閘極氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之第二閘極佈局與元件特性研究
- 2018, MS, 沈沛謙, 閘極掘入式氮化鋁鎵/氮化鎵增強型場效電晶體之閘極蝕刻後熱退火研究
- 2018, MS, 林晏平, 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之電流暫態特性研究
- 2017,
MS, 林峻緯, 複合式通道穿隧式場效電晶體
- 2017,
MS, 林瑋哲, 具背閘極之氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶
體
- 2017,
MS, 蔡信錩, 具 p型氮化鎵 表面層之鋁型氮化鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶 體
- 2017, MS, 許哲綮 具p型氮化鎵表層之金絕半高電子遷移率電晶體
- 2016,
MS, 劉鎮瑋, 氮化鎵異質接面場效電晶體之電流崩塌和熱儲存研究
- 2016,
MS, 劉為劭, 空乏型功率金屬氧化物半導體場效電晶體設計、模擬與特性分析
- 2016,
MS, 李智皓, 氮化鋁鎵/氮化鎵場效電晶體之磊晶表面層研究
- 2016,
MS, 湯順偉, 氮化鎵緩衝層磊晶跟場效電晶體直流和動態特性關聯之研究
- 2016,
MS, 陳鴻儒, 銻砷化鎵/砷化銦鎵穿隧式場效電晶體之關閉電流研究
- 2016, MS, 尤姿予, 銻砷化鎵/砷化銦鎵穿隧式場效電晶體之導通電流研究
- 2015,
Ph.D., 廖文甲, 氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面場效電晶體動態導通特性受電壓應力劣化之研究
- 2015, MS, 江承庭, 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率場效電晶體之表面氮化鋁氧化研究
- 2015, MS, 蔡尹佳, 應用於波長650-nm及850-nm之標準CMOS製程矽光檢測器
- 2015, MS, 李冠緯, 化合物半導體之穿隧式場效電晶製程與通流特性研究
- 2015, MS, 高楷博, 銻砷化鎵/砷化銦鎵穿隧式場效電晶體製作與特性研究
- 2015, MS, 姜彥丞, 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率場效電晶體之表面披覆層研究
- 2014, Ph.D., 陳冠宇, 微波毫米波寬頻高效率頻率倍頻器之研製
- 2014,
MS, 黃智愛, 標準CMOS製程結合後製程之850-nm矽累崩光檢測器
- 2014,
MS, 許家維, 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率場效電晶體之表面氧化研究
- 2014,
MS, 彭良軒, 砷化銦鎵穿隧式場效電晶體元件製作與特性研究
- 2014,
MS, 陳政欣, 矽基板氮化鎵電晶體閘極佈局研究
- 2014, MS, 許志維, 應用於K-band之倍頻器設計
- 2013, Ph.D., 周芳嬪, 高速850-nm矽光檢測器設計與分析
- 2013,
MS, 簡
潔, 600-V 溝渠式絕緣閘雙極性電晶體設計、分析與短路能力探討
- 2013,
MS, 謝雨蓁, 標準互補式金屬氧化物半導體結合微機電製程之850-nm側面照光矽光檢測器
- 2013,
MS, 蕭宇植, 高功率微波開關及可調頻段濾波器
- 2013,
MS, 陳彥綸, 氮化鋁鎵/氮化鎵金屬氧化物半導體高電子遷移率場效電晶體之製作與特性分析
- 2013,
MS, 葉詩恩, 氮化鋁/氮化鎵/氮化鋁銦場效電晶體設計及製程
- 2013, MS, 黃宣瑋, 銻化銦鎵/銻化鋁高電洞遷移率電晶體
- 2012, Ph.D., 何漢傑, N型與P型通道銻化物異質介面場效電晶體磊晶成長與元件特性分析
- 2012,
MS, 李姿瑩, 標準CMOS製程之850nm矽累崩光檢測器
- 2012,
MS, 胡詠昕, 改善功率承受能力之微波/毫米波開關電路
- 2012,
MS, 林武慶, 玻璃基板整合被動元件製程之CMOS
功率放大器
- 2012,
MS, 王怡婷, 600 V溝渠式逆向導通絕緣閘雙極性電晶體設計與分析
- 2012,
MS, 余孟儒, 矽基板對氮化鋁鎵/氮化鎵蕭特基二極體之電性影響
- 2012,
MS, 高宗延, P型銻化物異質介面場效電晶體之元件發展與特性分析
- 2012,
MS, 陳彥凱, 銻化物金屬-絕緣物-半導體異質接面場效電晶體之元件發展與特性研究
- 2012,
MS, 洪書群, 雙閘極金氧半場效電晶體與應用電路
- 2011,
MS, 林書賢, 具有低摻雜P型緩衝層與穿透型P+射源結構之600 V穿透式絕緣閘雙極性電晶體
- 2011,
MS, 柯宗佑, 具快速逆向回復時間之矽基600伏氮化鋁鎵/氮化鎵蕭基二極體
- 2011,
MS, 王靖雯, 以標準CMOS製程實現之850 nm矽光檢測器
- 2011,
MS, 林毓誠, 600 V新型溝渠式載子儲存絕緣閘雙極性電晶體之設計
- 2011,
MS, 周福興, 不同佈局薄膜電容分析與玻璃基板覆晶之功率放大器設計
- 2011,
MS, 王志華, 高功率CMOS微波開關電路設計
- 2011,
MS, 王晟康, 注入增強型與電場終止型之絕緣閘雙極性電晶體佈局設計與分析
- 2011,
MS, 蔡榮宗, n-MOSFET元件製程調變之低頻雜訊分析
- 2011, MS, 劉汶德, 矽鍺P型通道電晶體於外加單軸應力下之溫度效應分析
- 2010,
MS, 李易珊, 指叉電容式生物感測器
- 2010,
MS, 蔡翊翔, 微波功率放大器線性度改善研究
- 2010,
MS, 謝雨奇, 以In2Se3為緩衝層之CIGS太陽電池之研究
- 2010,
MS, 顏志佑, 矽基板雜訊耦合與防護環設計分析
- 2010,
MS, 蔡孟修, 微波/毫米波寬頻壓控振盪器與次諧波注入式鎖態振盪器
- 2010,
MS, 陳志誠, 毫米波頻段三倍頻BPSK調變器及注入式鎖態振盪器陣列電路
- 2010,
MS, 林柏安, 使用覆晶技術之微波與毫米波積體電路
- 2010,
Ph.D., 陳靖容(共同指導),
發展阻抗及壓電感測技術於生物醫學上之應用
- 2009,
Ph.D, 林東明(共同指導), 增強型與空乏型砷化鋁鎵/砷化銦鎵假晶格高電子遷移率電晶體:元件特性、模型與電路應用
- 2009,
Ph.D, 潘俊廷, 氮化鎵系列異質接面雙極性電晶體之研究與製作
- 2009,
Ph.D, 黃守謙, 異質接面雙極性電晶體高頻雜訊特性與模型
- 2009, MS, 楊雅雯(共同指導), 增強型假晶格高電子遷移率電晶體模型的建立與微波功率放大器設計
- 2009, MS, 李冠德(共同指導), 毫米波頻段差動式注入鎖態除頻器及頻率合成器之應用
- 2009, MS, 沈哲豪(共同指導), 寬頻低功耗金氧半場效電晶體射頻環狀電阻性混頻器
- 2009, MS, 楊傑甯(共同指導), 次微米氮化鎵電晶體之製程與特性分析
- 2009, MS, 李汪翰, 電感式生物感測器研發與人類白蛋白檢測應用
- 2009, MS, 李芳存, 以硒化銦和硒化銅作為緩衝層之硒化銅銦鎵薄膜太陽能電池
- 2009, MS, 廖君宇, 俱螢光反應之生物感測晶片研發與在人體血清白蛋白應用
- 2008, Ph.D, 黃維國, 高速前端光接收器之單石積體化技術
- 2008,
MS, 蔡承修, 3 - 10 GHz 寬頻低雜訊放大器
- 2008,
MS, 顏瑞成, 氮化鎵基材電晶體製作與分析
- 2008,
MS, 顏伯恩, 850 nm 矽光檢測器
- 2008,
MS, 吳建德, 砷化鎵異質接面光電晶體應用於血清蛋白濃度偵測
- 2008,
MS, 林文奕, pHEMTs小訊號和雜訊模型與其元件尺寸關係
- 2008,
MS, 侯仁傑, 氧化(鋁)鋅/氮化鎵異質接面雙極性電晶體
- 2007, PhD, 王則閔,
InGaP/GaAs HBT 線性度改善與InP DHBT製作與特性分析
- 2007,
MS, 陳博軒, Ka頻段之交錯耦合雙推式壓控振盪器
- 2007,
MS, 林志豪, Ku-頻段微波覆晶積體化低雜訊放大器
- 2007,
MS, 劉玉章, 短波長光通訊之矽標準製程光檢測器
- 2007,
MS, 李慶泰, 集極在上氮化鎵/氧化鋅異質接面
雙極性電晶體
- 2007,
MS, 謝政宏, 假形高電子遷移率電晶體之溫度變化大訊號模型
- 2007, MS, 張加聰, 矽鍺異質接面功率電晶體佈局設計
- 2006,
PhD, 薛光博, 氮化鎵系列異質接面雙極性電晶體之研究
- 2006,
PhD, 湯文斌, InGaP HBT元件的特性與模型分析
- 2006, MS, 鍾孝文, 應用於1550 nm波長之寬頻高速光積體電路之研製
- 2006, MS, 林子智, 應用於毫米波頻段之雙推式諧波振盪器
- 2006, MS, 李啟賢, 利用覆晶技術與單石微波積體電路製作之Ka/V頻段放大器
- 2005,
MS, 蔣國軍, 覆晶式藍光發光二極體製程技術之研究
- 2005,
MS, 劉佑安, 利用單石微波積體電路與覆晶技術製作之Ka頻段振盪器
- 2005,
MS, 黃振洋, 應用於無線區域網路與寬頻帶系統之低雜訊放大器設計
- 2005,
MS, 吳昭羲, 平臺式矽鍺異質接面雙載子電晶體研製與分析
- 2005, MS, 張浩維, 磷化銦/砷化銦鎵光二極體及異質接面雙極性電晶體積體化光接收器之設計與製作
- 2004,
MS, 劉文淵, Ka頻帶低雜訊放大器和共平面波導低通濾波器分析設計與實現
- 2004,
MS, 蔡亭林, 矽鍺光電晶體與砷化鎵光電晶體之設計與特性分析
- 2004, MS, 水修銓, 異質接面雙載子電晶體之VBIC大訊號模型建立與驗證
- 2003, MS, 何岳龍, 高效率與線性度的功率放大器設計
- 2003, MS, 洪志明, 高速磷化銦異質接面雙極性電晶體之研製
- 2003, MS, 張佳彥, 砷化鎵雙載子電晶體之集極設計對功率效益的研究
- 2002,
MS, 魏吉鴻, 微波積體化功率放大器設計及研製
- 2002,
MS, 黃國龍, 微波壓控振盪器之設計與製作
- 2002,
MS, 黃武駿, 垂直共振腔面射型雷射與PIN光檢器之研製
- 2002, MS, 黃知澍, 集極在上異質接面雙極性電晶體之設計與製程
- 2001,
MS, 梁虔碩, AlGaAs/GaAs PIN/HBT 光檢器/轉組放大器之積體化光接收器
- 2001,
MS, 蘇世宗, 砷化鎵基體質接面雙極性電晶體之研製與其在積體化功率放大器之應用
- 2001,
MS, 薛光博,砷化鎵場效電晶體表面氧離子佈值和自我校準技術之研究
- 2001,
MS, 王瑞慶, 砷化鋁鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體之研製及壓控震盪器設計與製程
- 2001, MS, 許宏造,氮化鎵通道參雜異質結構場效電晶體製作與特性分析
- 2000, MS, 許嘉仁, 離子佈植砷化鎵金屬半導體場效電晶體之研究
- 2000, MS, 范振中, 磷化銦鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體之研製及其集極調變對元件特性的影響
- 2000, MS, 林志憲, 碰撞游離係數的量測
及其在異質接面雙極性電晶體之設計應用
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